GC2M1000170D
SiC MOSFET: GC2M1000170D (SUPSiC) — напруга стік-витік 1.7 кВ, струм стоку 5 А, RDS(on) 800 мОм при 20 В, корпус TO247-3.
- Виробник
- SUPSiC
- Корпус
- TO247-3
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 1.7 кВ
- Струм стоку
- 5 А
- RDS(on)
- 800 мОм при 20 В
- Порогова напруга затвора
- 2.8 В
- Розсіювана потужність
- 69 Вт
- Заряд затвора
- 22nC
Ціна: за запитом
Даташит GC2M1000170D (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.