IMW65R072M1H
SiC MOSFET: IMW65R072M1H (Infineon Technologies) — напруга стік-витік 650 В, струм стоку 26 А, RDS(on) 94 мОм, корпус TO-247-3.
- Виробник
- Infineon Technologies
- Корпус
- TO-247-3
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 650 В
- Струм стоку
- 26 А
- RDS(on)
- 94 мОм
- Порогова напруга затвора
- 5.7 В
- Заряд затвора
- 22nC
- Тип
- N-Channel
Ціна: за запитом
Даташит IMW65R072M1H (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.