IMZA65R048M1H
SiC MOSFET: IMZA65R048M1H (Infineon Technologies) — напруга стік-витік 650 В, струм стоку 39 А, RDS(on) 48 мОм при 18 В, корпус TO-247-4.
- Виробник
- Infineon Technologies
- Корпус
- TO-247-4
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 650 В
- Струм стоку
- 39 А
- RDS(on)
- 48 мОм при 18 В
- Порогова напруга затвора
- 4.5 В
- Розсіювана потужність
- 125 Вт
- Заряд затвора
- 33nC
Ціна: за запитом
Даташит IMZA65R048M1H (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.