IMW120R060M1H
SiC MOSFET: IMW120R060M1H (Infineon Technologies) — напруга стік-витік 1.2 кВ, струм стоку 36 А, RDS(on) 60 мОм, корпус TO-247-3.
- Виробник
- Infineon Technologies
- Корпус
- TO-247-3
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 1.2 кВ
- Струм стоку
- 36 А
- RDS(on)
- 60 мОм
- Порогова напруга затвора
- 5.7 В
- Розсіювана потужність
- 150 Вт
- Заряд затвора
- 31nC
Ціна: за запитом
Даташит IMW120R060M1H (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.