JFET

Part number	Виробник	Корпус	Опис
MMBFJ177LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 300 Ом Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ309LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBF4391LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 30 Ом Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBF4393LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 100 Ом Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
J112-D74Z onsemiJFET	onsemi	TO-92-3	RDS(on): 50 Ом Розсіювана потужність: 625 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ201 onsemiJFET	onsemi	SOT-23-3L	Розсіювана потужність: 350 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
2SK209-BL(TE85L,F) TOSHIBAJFET	TOSHIBA	SC-59	Розсіювана потужність: 150 мВт
MMBFJ176 onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 250 Ом Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ310LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ112 onsemiJFET	onsemi	SOT-23-3L	RDS(on): 50 Ом Розсіювана потужність: 350 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
2SK209-GR(TE85L,F) TOSHIBAJFET	TOSHIBA	SC-59	Розсіювана потужність: 150 мВт
MMBFJ270 onsemiJFET	onsemi	SOT-23	Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ111 onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 30 Ом Розсіювана потужність: 350 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
MMBFJ175LT1G onsemiJFET	onsemi	SOT-23	RDS(on): 125 Ом Розсіювана потужність: 225 мВт Робоча температура: -55 °C…+150 °C
2SK880-GR(TE85L,F) TOSHIBAJFET	TOSHIBA	SOT-323-3	Розсіювана потужність: 100 мВт