| M24C02-WMN6TP STMicroelectronicsEEPROM |
STMicroelectronics |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 2 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q128JVSIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-8-208mil |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 128 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOP-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…3.6 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| 23K256T-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 256 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| W29N01HVSINA Winbond ElecNAND Flash |
Winbond Elec |
TSOPI-48 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 1 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| W9825G6KH-6 Winbond ElecSDRAM |
Winbond Elec |
TSOP-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 256 Мбіт
Тактова частота: 166 МГц |
|
| MT41K256M16TW-107:P Micron TechDDR SDRAM |
Micron Tech |
FBGA-96 |
Напруга живлення: 1.283 В…1.45 В
Обсяг: 4 Гбіт
Тактова частота: 933 МГц |
|
| M24C64-RMN6TP STMicroelectronicsEEPROM |
STMicroelectronics |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…5.5 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25X40CLSNIG Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-8-150mil |
Напруга живлення: 2.3 В…3.6 В
Обсяг: 4 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RC64VPNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8-150mil |
Напруга живлення: 3 В…5.5 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| 23LCV512-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 512 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| W25N01GVZEIG Winbond ElecNAND Flash |
Winbond Elec |
WSON-8-EP |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 1 Гбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| W9864G6KH-6 Winbond ElecSDRAM |
Winbond Elec |
TSOPII-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 64 Мбіт
Тактова частота: 166 МГц |
|
| W9751G6NB-25 Winbond ElecDDR SDRAM |
Winbond Elec |
VFBGA-84 |
Напруга живлення: 1.7 В…1.9 В
Обсяг: 512 Мбіт
Тактова частота: 400 МГц |
|
| AT24C256C-SSHL-T Microchip TechEEPROM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.7 В…5.5 В
Обсяг: 256 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25X20CLSNIG Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.3 В…3.6 В
Обсяг: 2 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 3 В…5.5 В
Обсяг: 16 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| 23LCV1024-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 1 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F2G01ABAGDWB-IT:G Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
U-PDFN-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 2 Гбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| W9825G6KH-6I Winbond ElecSDRAM |
Winbond Elec |
TSOPII-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 256 Мбіт
Тактова частота: 166 МГц |
|
| MT41K128M16JT-125 IT:K Micron TechDDR SDRAM |
Micron Tech |
TFBGA-96 |
Напруга живлення: 1.283 В…1.45 В
Обсяг: 2 Гбіт
Тактова частота: 800 МГц |
|
| M24C02-RMN6TP STMicroelectronicsEEPROM |
STMicroelectronics |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…5.5 В
Обсяг: 2 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q80DVSSIG Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-8-208mil |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 8 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RC04VPNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 3 В…5.5 В
Обсяг: 4 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| 23LC1024T-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOP-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 1 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F8G08ABACAWP-IT:C Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
TSOPI-48 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 8 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| W9812G6KH-6 Winbond ElecSDRAM |
Winbond Elec |
TSOPII-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 128 Мбіт
Тактова частота: 166 МГц |
|
| W9425G6KH-5 Winbond ElecDDR SDRAM |
Winbond Elec |
TSOP-66-10.2mm |
Напруга живлення: 2.3 В…2.7 В
Обсяг: 256 Мбіт
Тактова частота: 200 МГц |
|
| AT24C08C-SSHM-T Microchip TechEEPROM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.7 В…5.5 В
Обсяг: 8 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q64JWUUIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
USON-8 |
Напруга живлення: 1.7 В…1.95 В
Обсяг: 64 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RS512TPNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…3.6 В
Обсяг: 512 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| 23LC1024-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOP-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 1 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
TSOPI-48 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 4 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| IS42S16400J-7TLI-TR ISSI Integrated Silicon SolutionSDRAM |
ISSI Integrated Silicon Solution |
TSOPII-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 64 Мбіт
Тактова частота: 200 МГц |
|
| MT41K256M16TW-107 IT:P Micron TechDDR SDRAM |
Micron Tech |
FBGA-96 |
Напруга живлення: 1.283 В…1.45 В
Обсяг: 4 Гбіт
Робоча температура: -40 °C…+95 °C |
|
| M24512-RMN6TP STMicroelectronicsEEPROM |
STMicroelectronics |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…5.5 В
Обсяг: 512 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q128JVPIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
WSON-8-EP |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 128 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RS16PNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 16 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| 23LC512-I/ST Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
TSSOP-8 |
Напруга живлення: 2.5 В…5.5 В
Обсяг: 512 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F4G08ABADAWP:D Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
TSOPI-48 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 4 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| IS42S32200L-6TLI ISSI Integrated Silicon SolutionSDRAM |
ISSI Integrated Silicon Solution |
TSOP-86-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 64 Мбіт
Тактова частота: 166 МГц |
|
| W631GG6MB-12 Winbond ElecDDR SDRAM |
Winbond Elec |
VFBGA-96 |
Напруга живлення: 1.425 В…1.575 В
Обсяг: 1 Гбіт
Тактова частота: 800 МГц |
|
| AT24C02C-SSHM-T Microchip TechEEPROM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.7 В…5.5 В
Обсяг: 2 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q256JVFIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-16-300mil |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 256 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RS64TPNF-G-JNERE2 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOP-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…3.6 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| 23K256-E/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 256 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F2G08ABAEAWP:E Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
TSOPI-48 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 2 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| IS42S16160J-7BLI ISSI Integrated Silicon SolutionSDRAM |
ISSI Integrated Silicon Solution |
TFBGA-54 |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 256 Мбіт
Тактова частота: 143 МГц |
|
| MT48LC16M16A2P-6A IT:G Micron TechDDR SDRAM |
Micron Tech |
TSOP-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 256 Мбіт
Тактова частота: 167 МГц |
|
| AT93C46DN-SH-T Microchip TechEEPROM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.8 В…5.5 В
Обсяг: 1 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| W25Q32JVZPIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
WSON-8-EP |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 32 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RS16NPNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 16 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| 23K640-I/SN Microchip TechSRAM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MT29F4G08ABAEAWP-IT:E Micron TechNAND Flash |
Micron Tech |
TFSOP-48-18.4mm |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 4 Гбіт
Інтерфейс: паралельний |
|
| IS42S16400J-6TLI-TR ISSI Integrated Silicon SolutionSDRAM |
ISSI Integrated Silicon Solution |
TSOP-54-10.2mm |
Напруга живлення: 3 В…3.6 В
Обсяг: 64 Мбіт
Тактова частота: 200 МГц |
|
| MT41J128M16JT-125:K Micron TechDDR SDRAM |
Micron Tech |
FBGA-96 |
Напруга живлення: 1.425 В…1.575 В
Обсяг: 2 Гбіт
Тактова частота: 800 МГц |
|
| AT24C128C-SSHM-T Microchip TechEEPROM |
Microchip Tech |
SOIC-8 |
Напруга живлення: 1.7 В…5.5 В
Обсяг: 128 Кбіт
Інтерфейс: I2C |
|
| W25Q32JVSSIQ Winbond ElecNOR Flash |
Winbond Elec |
SOIC-8-208mil |
Напруга живлення: 2.7 В…3.6 В
Обсяг: 32 Мбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 FUJITSUFRAM |
FUJITSU |
SOP-8 |
Напруга живлення: 3 В…5.5 В
Обсяг: 64 Кбіт
Інтерфейс: SPI |
|
| IS62WV51216BLL-55TLI ISSI Integrated Silicon SolutionSRAM |
ISSI Integrated Silicon Solution |
TSOP-44-10.2mm |
Напруга живлення: 2.5 В…3.6 В
Обсяг: 8 Мбіт
Робоча температура: -40 °C…+85 °C |
|